英飛凌科技(Infineon)日前宣佈與快捷半導體(Fairchild)就專利侵權訴訟達成和解。英飛凌是在 2008 年 11 月於美國德拉瓦州地方法院提出訴訟，本訴與反訴牽涉14項專利，範圍涵蓋超接面(super-junction)功率電晶體以及溝槽式功率MOSFET和IGBT 功率電晶體。
這起訴訟已透過廣泛的半導體技術專利交互授權達成和解。根據協議，快捷半導體必須支付英飛凌費用，但具體協議內容保密。英飛凌與快捷半導體將通知美國德拉瓦州地方法院雙方已達成和解協議，並將提請撤案。
英飛凌目前正與多家半導體廠商進行討論專利授權事宜，該公司認為這類討論是為永續保護所屬智慧財產權與商業利益的必要策略。
資料來源：電子工程專輯
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陳省三
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